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常用数据存储器电路(RAM) |  第[1],[2]页 |
MCM6256 256k×1位 NCMOS动态RAM
 I/O口分开，三态输出，输入输出与TTL兼容，256刷新地址，与4164引脚具有互换性，高速半字节方式存取，单+5V电源，兼容型号：HM50256，HM50257，AM90C255，AM90C256，KM41256，KM41257，M5M4256，M5M4257，MB1257，MN41256，MSM37256，TMM41256，uPD41256，UPOD41257等。
 数据手册[datasheet]
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HM6147 4k×1位CMOS静态RAM
I/O端分开，输出为三态，输入输出与TTL兼容，与4kNMOS静态RAM2147引脚兼容，VDD=5V。
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HM6167 16k×1位静态RAM
输入输出均与TTL兼容，三态输出，与2167引脚兼容，VDD=5V，类似型号有51C66，51C67，HM6267，IDT6167，LH5167，M5M21C67，V61C67，uPD4311等。
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HM6504 4k×1位CMOS时钟RAM
输入输出与TTL兼容，与时钟RAM4104引脚兼容，DI和R/W在CE下降使被锁存，消耗功率与时钟频率成正比（最大7mW/MHz），有断电方式：VDD=+5V，类似型号IM6504C，MB6504C，MB8404E，MCM1406504，MSM5104RS，NMC6504，TC5504AP/D，SRM6504C。
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HM6514 4k×1位CMOS时钟RAM
公共输入输出端，三态输出，有备用设备（1mW），输入输出与TTL兼容，与时钟RAM4114引脚兼容，时钟脉冲用CE脚，消耗功率与时钟频率成正比（最大6mA/MHz），VDD=5V，类似型号：IM6514、HM4334、MCM146514、MB8414、MSM5115、NM6514、S6514、SRM6514等。
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HM6518 1k×1位CMOS时钟RAM
三态输出，数据输出与TTL兼容，内含地址锁存，只能存取输出锁存内容，有断电方式，VDD=+5V，类似型号：IM6518、IM65X18、MCM146518、MCM6518、MB8411、MM74C930、NMC6518、S6518等。
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常用数据存储器(RAM)