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常用FLASH存储器电路
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常用FLASH存储器电路 		AT29C020 AT29C040 AT29C1024 AT29C256 AT29C512 
        AT29C010 128k×8 EPROM

     AT29C010 Flash存储器，读取时间仅为70ns，单一+5V电源，双8k字节的引导区，内部程控定时器，硬件和软件数据保护功能，快速扇出程序周期10ms，低功耗：待机为100uA，启动工作为50mA，10000次擦写次数。输入输出全兼容CMOS和TTL电路。

     数据手册[Datasheet]
AT29C010引脚图

AT29C020引脚图		         AT29C020 256k×8 EPROM

      Flash存储器，读取时间仅为70ns，单一+5V电源，双8k字节的引导区，内部程控定时器，硬件和软件数据保护功能，快速扇出程序周期10ms，低功耗：待机为100uA，启动工作为50mA，10000次擦写次数。输入输出全兼容CMOS和TTL电路。

     数据手册[Datasheet]

        AT29C040 512k×8 EPROM

     AT29C040 Flash存储器，读取时间仅为70ns，单一+5V电源，双8k字节的引导区，内部程控定时器，硬件和软件数据保护功能，快速扇出程序周期10ms，低功耗：待机为100uA，启动工作为50mA，10000次擦写次数。输入输出全兼容CMOS和TTL电路。



     数据手册[Datasheet]
AT29C040引脚图

AT29C1024引脚图		         AT29C1024 1024k×8 EPROM

      Flash存储器，读取时间仅为70ns，单一+5V电源，双8k字节的引导区，内部程控定时器，硬件和软件数据保护功能，快速扇出程序周期10ms，低功耗：待机为100uA，启动工作为50mA，10000次擦写次数。输入输出全兼容CMOS和TTL电路。

     数据手册[Datasheet]

        AT29C256 32k×8 EPROM

     AT29C256 Flash存储器，读取时间仅为70ns，单一+5V电源，双8k字节的引导区，内部程控定时器，硬件和软件数据保护功能，快速扇出程序周期10ms，低功耗：待机为300uA，启动工作为50mA，10000次擦写次数。输入输出全兼容CMOS和TTL电路。

     数据手册[Datasheet]
AT29C256引脚图

AT29C512引脚图		         AT29C512 64k×8 EPROM

     Flash存储器，读取时间仅为70ns，单一+5V电源，双8k字节的引导区，内部程控定时器，硬件和软件数据保护功能，快速扇出程序周期10ms，低功耗：待机为100uA，启动工作为50mA，10000次擦写次数。输入输出全兼容CMOS和TTL电路。

     数据手册[Datasheet]




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