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| ME-52单片机仿真开发系统简介 |
△ 实时仿真频率高达33MHz，仿真器提供2—24MHz的时钟信号。
△ 仿真器提供64K程序代码存储器，支持仿真所有程序和数据地址空间。
△ 支持8xC51、8xC52、8xC54、8xC58、89C1051/2051/4051。
△ 提供分辨率达一个字节的程序存储器映像设置。
△ 64k硬件程序地址断点和程序地址计数断点。
△ 外部信号断点。
△ 深度为16k Frame，可记录5个外部信号的跟踪存储器 | |
SST28SF040 512k×8位 EEPROM
 512k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST28SF040A为4.5-5.5V，SST28VF040A为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为15mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
 数据手册（英文）
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SST28VF040 512k×8位 EEPROM
512k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST28SF040A为4.5-5.5V，SST28VF040A为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为15mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
 数据手册[Datasheet]
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SST29EE512 64k×8位 EEPROM
64k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST29EE512为4.5-5.5V，SST29LE512为3.0-3.6V
，SST29VE512为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
数据手册[Datasheet]
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SST29EE010 128k×8位 EEPROM
64k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST29EE010为4.5-5.5V，SST29LE010为3.0-3.6V，SST29VE010为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
 数据手册[Datasheet]
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SST29EE020
256k×8位 EEPROM
64k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST29EE020为4.5-5.5V，SST29LE020为3.0-3.6V，SST29VE020为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
数据手册（英文）
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