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SST28SF040 512k×8位 EEPROM
 512k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST28SF040A为4.5-5.5V，SST28VF040A为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为15mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
 数据手册（英文）
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SST28VF040 512k×8位 EEPROM
512k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST28SF040A为4.5-5.5V，SST28VF040A为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为15mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
数据手册[Datasheet]
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SST29EE512 64k×8位 EEPROM
64k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST29EE512为4.5-5.5V，SST29LE512为3.0-3.6V
，SST29VE512为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
数据手册[Datasheet]
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SST29EE010 128k×8位 EEPROM
64k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST29EE010为4.5-5.5V，SST29LE010为3.0-3.6V
，SST29VE010为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
数据手册[Datasheet]
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SST29EE020
256k×8位 EEPROM
64k×8bit存储容量，单一读写工作电压：SST29EE020为4.5-5.5V，SST29LE020为3.0-3.6V
，SST29VE020为2.7-3.6V。一百万次的读写次数，数据保存时间可达100年。低功耗：5V电压下为20mA，3.6v电压下为10mA。快速扇区擦除和编程速度，快速存取速度，地址和数据锁存，写末地址检测，兼容TTL电路，具有32pin PLCC、32pinTSOP和32pinPDIP等多种封装形式。
数据手册（英文）
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SST系列存储器