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现代电子HY系列存储器
HY29F002
256k×8位 FLASH存储器
256k×位 FLASH存储器，5V的读写及擦除电压，单一电源存储器，一百万次的读写周期。兼容JEDEC标准指令，软件指令，标准工业封装形式。内部自动扇区擦除结构。低功耗：最大读电流40mA，最大擦除和编程电流60mA，待机状态：5mA。45ns的存取时间。
数据手册（英文）
HY29F040
512k×8位 FLASH存储器
单一5V的读、编程和擦除电压，55ns的存取时间，典型编程时间7us/每字节，扇区擦除时间1.0se（典型值），整片擦除时间8sec（典型值）。低功耗，读状态耗电流20mA，编程或擦除电流30mA，最大CMOS待机电流5uA。兼容JEDEC标准指令，内部自动扇区擦除结构。自动编程结构，一百万次的擦写周期，具有标准工业32pin封装结构，PDIP、TSOP和PLCC等封装形式。
数据手册 [Datasheet]
HY29F080
1M×8位 FLASH存储器
单一5V的读、编程和擦除电压，55ns的存取时间，典型编程时间7us/每字节，扇区擦除时间1.0se（典型值），整片擦除时间8sec（典型值）。低功耗，读状态耗电流20mA，编程或擦除电流30mA，最大CMOS待机电流5uA。兼容JEDEC标准指令，内部自动扇区擦除结构。自动编程结构，一百万次的擦写周期，具有标准工业32pin封装结构，PDIP、TSOP和PLCC等封装形式。
数据手册 [Datasheet]
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256k×位 FLASH存储器，5V的读写及擦除电压，单一电源存储器，一百万次的读写周期。兼容JEDEC标准指令，软件指令，标准工业封装形式。内部自动扇区擦除结构。低功耗：最大读电流40mA，最大擦除和编程电流60mA，待机状态：5mA。45ns的存取时间。
数据手册（英文）
现代电子HY系列存储器
