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CMOS4000系列数字逻辑电路
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CMOS4000系列数字逻辑电路 
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     CMOS4000输出特性

    CMOS系列集成电路的输出特性与温度有关,特别是在电源电压大于10V时比较明显,输出电流与电源电压的关系如图3所示。当温度为25℃以上时,输出驱动电流按-0.3%/℃的负温度系数下降。CMOS输出拉电流与电源电压的关系如图4。
输出特性曲线
CMOS4000带缓冲反相器输出特性参数
参数名称 测试条件 参数 单位
输出电压(V) 输入电压(V) 电源电压(V) 最大值 最小值
输出低电平电流 0.4
0.5
1.5
0/5
0/10
0/15
5
10
15
0.51
1.3
3.4
  mA
输出高电平电流 4.6
9.5
13.5
0/5
0/10
0/15
5
10
15
-0.51
-1.3
-3.4
  mA
输出低电平电压   0/5
0/10
0/15
5
10
15
  0.05
0.05
0.05
V
输出高电平电压   0/5
0/10
0/15
5
10
15
4.95
9.95
14.95
  V
输出状态
转换时间
CL=50pF
RL=200k
5
10
15
  200
100
80
nS

     CMOS4000极限参数
CMOS4000极限参数
参数名称 极限值
最大直流电源电压
最大输入电压
最小输入电压
+18V
电源电压+0.5V—-0.5V
最大允许功耗 陶瓷扁平封装(14,16引脚)
(环境温度=-55—100℃)
 
200mW
陶瓷双列直插封装(14,16引脚)
(环境温度=-55—100℃)
(环境温度=100—125℃)
 
500mW
200mW
塑料双列直插封装(14,16,24引脚)
(环境温度=-55—60℃)
(环境温度=60—85℃)
 
500mW
200mW
工作温度范围 陶瓷扁平封装
陶瓷双列直插封装
塑料双列直插封装
-55—100℃
155—125℃
-40—85℃
存储温度 -65—150℃
    ·CMOS4000工作速度

    典型的CMOS门电路传输延迟时间分别小于300nS(VDD=5V),150nS(VDD=10V),110nS(VDD=15V),测试时输出端接120Ω上拉电阻,输出状态从一种逻辑状态转换成另一种逻辑状态所需要的时间(输出状态转换时间),分别小于100nS(VDD=5V),70nS(VDD=10V),50nS(VDD=15V),测试时逻辑低电平以10%电源电压、逻辑高电平以90%电源电压为准,同时输出端接120Ω上拉电阻。CMOS传输延迟时间大约按+0.25%/℃的温度系数增大,4011的传输延迟时间和输出状态转换时间与负载电容的关系如图4和图5所示。
输出特性曲线


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