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常用TTL74系列数字电路- > CD4000, CD4001, CD4002
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TTL74系列数字逻辑电路- > 数字逻辑电路使用指南(一)
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- > CMOS4000系列数字集成电路(一)
- > CMOS4000系列数字集成电路(二)
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| ME-52单片机仿真开发系统简介 |
△ 实时仿真频率高达33MHz，仿真器提供2—24MHz的时钟信号。
△ 仿真器提供64K程序代码存储器，支持仿真所有程序和数据地址空间。
△ 支持8xC51、8xC52、8xC54、8xC58、89C1051/2051/4051。
△ 提供分辨率达一个字节的程序存储器映像设置。
△ 64k硬件程序地址断点和程序地址计数断点。
△ 外部信号断点。
△ 深度为16k Frame，可记录5个外部信号的跟踪存储器 | |
CMOS4000系列数字电路(二)
| 深圳市凌雁电子有限公司 |
 CMOS4000输出特性
CMOS系列集成电路的输出特性与温度有关，特别是在电源电压大于10V时比较明显，输出电流与电源电压的关系如图3所示。当温度为25℃以上时，输出驱动电流按-0.3%/℃的负温度系数下降。CMOS输出拉电流与电源电压的关系如图4。 |
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| CMOS4000带缓冲反相器输出特性参数 |
| 参数名称 |
测试条件 |
参数 |
单位 |
| 输出电压(V) |
输入电压(V) |
电源电压(V) |
最大值 |
最小值 |
| 输出低电平电流 |
0.4
0.5
1.5 |
0/5
0/10
0/15 |
5
10
15 |
0.51
1.3
3.4 |
|
mA |
| 输出高电平电流 |
4.6
9.5
13.5 |
0/5
0/10
0/15 |
5
10
15 |
-0.51
-1.3
-3.4 |
|
mA |
| 输出低电平电压 |
|
0/5
0/10
0/15 |
5
10
15 |
|
0.05
0.05
0.05 |
V |
| 输出高电平电压 |
|
0/5
0/10
0/15 |
5
10
15 |
4.95
9.95
14.95 |
|
V |
输出状态
转换时间 |
CL=50pF
RL=200k |
5
10
15 |
|
200
100
80 |
nS |
CMOS4000极限参数 |
| CMOS4000极限参数 |
| 参数名称 |
极限值 |
最大直流电源电压
最大输入电压
最小输入电压 |
+18V
电源电压+0.5V—-0.5V |
| 最大允许功耗 |
陶瓷扁平封装(14,16引脚)
(环境温度=-55—100℃) |
200mW |
陶瓷双列直插封装(14,16引脚)
(环境温度=-55—100℃)
(环境温度=100—125℃) |
500mW
200mW |
塑料双列直插封装(14,16,24引脚)
(环境温度=-55—60℃)
(环境温度=60—85℃) |
500mW
200mW |
| 工作温度范围 |
陶瓷扁平封装
陶瓷双列直插封装
塑料双列直插封装 |
-55—100℃
155—125℃
-40—85℃ |
| 存储温度 |
-65—150℃ |
·CMOS4000工作速度
典型的CMOS门电路传输延迟时间分别小于300nS(VDD=5V),150nS(VDD=10V),110nS(VDD=15V),测试时输出端接120Ω上拉电阻，输出状态从一种逻辑状态转换成另一种逻辑状态所需要的时间（输出状态转换时间），分别小于100nS(VDD=5V),70nS(VDD=10V),50nS(VDD=15V),测试时逻辑低电平以10%电源电压、逻辑高电平以90%电源电压为准，同时输出端接120Ω上拉电阻。CMOS传输延迟时间大约按+0.25%/℃的温度系数增大，4011的传输延迟时间和输出状态转换时间与负载电容的关系如图4和图5所示。 |
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