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| easyprobe8052F单片机仿真开发系统简介 |
▲ 双CPU架构，全开放设计，不占系统资源。
▲ 完全实时仿真，最高速度可达40MHz。
▲ 轻巧实用，可以不使用仿真电缆而直接插入用户目标板，便于现场调试。
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▲ 28kB仿真存储区，包括64kB程序存储区和64kB数据存储区。
▲ 可按下列属性进行映射：-Overlay(Internal):内部，Target(External)：外部。 | |
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电磁兼容的概念及设计方法(四) Terminology for Electromagnetic Compatibility | 深圳市凌雁电子有限公司 |
[5.1.3]电磁辐射
电磁辐射包括电子设备内部和外部两种电磁辐射源。其实任一电流的周围都存在磁场，而变化的磁场会产生变化的电场，这种电磁场就是电磁干扰源。
电子设备中主要的电磁辐射源是大电流，高电压的强功率电路和器件，电压或电流快速变化的电路和器件以及高频电路和器件。
对电磁辐射的电磁兼容设计是，采用电磁屏蔽方法，即用屏蔽材料将电磁辐射源封闭起来，使其外部电磁场强低于允许值。
电磁屏蔽的技术原理主要有两种：
是一反射，由于空气和金属屏蔽的电磁阻抗不同，使入射电磁电波产生反射作用。磁场中的反射损耗R（dB），对磁场源而言
R=20log10{[0.012(μτ/fδτ)1/2/D]+5.364D(fδτ/μτ)1/2+0.354} (8)
式中：μτ为相对磁导率
δτ为相对电导率
f为电磁波频率
D为辐射源到屏蔽体的距离(m)
对电场而言
R=322+10log10(δτ/μτf3D2) (9)
二是吸收，进入金属屏蔽内的电磁波在金属屏蔽内传播时，由于衰减而产生吸收作用。吸收损耗A(dB)为：
A=0.131d(μτfδτ)1/2 (10)
式中：d为屏蔽材料厚度(mm)。
[1] 磁场屏蔽 一般采用磁导率高的材料作屏蔽体，它给低频磁通提供一个闭合回路，并使其限制在屏蔽体内。屏蔽体的磁导率越高，厚度越大，磁阻越小，磁场屏蔽的效果越好。当然屏蔽的设计要与设备的重量相协调。在杂散耦合可能引起有害作用的电路中，应选用带有屏蔽的电感器和继电器，并将屏蔽有效地接地。
[2] 磁场屏蔽 一般采用电导率高的材料作屏蔽体，并将屏蔽体接地。使电力线在此终止，因而电场不会泄漏到屏蔽体外部。电场屏蔽以反射为主，因此屏蔽体的厚度不宜过大，而以结构强度为主要考虑因素。
应当特别注意电磁屏蔽的完整性，特别是电磁场屏蔽，因为它是利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而消除高频磁场干扰的。如果屏蔽体不完整，则涡流的效果降低，导致电磁场泄漏，屏蔽效果将大打折扣。
[5.1.4]雷电
雷电是带电云对地或带电云之间的放电现象。带电云对地放电为直接雷击，而非直接雷击时设备所受到的干扰为感应雷击。由于雷电具有非常大的能量和非常短的持续时间，因此雷电是非常强的干扰源。
雷电的电磁兼容设计方法是
[1] 对直接雷击采用的设计方法 采用闪接器、避雷引线和避雷接地组成的避雷系统。将直接雷击的能量引入大地，以保护电子设备。
[2] 对感应雷击采用的设计方法 采用气体避雷管、压敏电阻、电压瞬变吸收二极管或固体放电管。利用其非线性特性，对感应雷击的高电压尖峰削波和能量吸收，以保护电子设备。
[5.1.5]静电
当不同介质的材料相互摩擦时，会产生电荷转移而产生静电。当然静电也可能以其它方式产生，比如受到其它带电体的感应。静电场强的高低取决于材料所携带的电荷量多少和对地电容的大小。当这种材料对电子设备的场强超过绝缘介质的击穿强度时，会发生电晕放电或火花放电，形成静电干扰，可能导致电力设备损坏。
防静电的电磁兼容设计方法是
——防止静电的产生，例如阻止静电荷的积累、泄放积累的电荷，采用防静电地板和静电消除器等等。
——采用静电屏蔽和接地措施，将静电产生的电荷引走。
——采用静电保护措施，例如增加串联电阻以降低静电放电电流，增加并联元件以把静电放电电流引走，对静电作用下易损坏器件的操作防护和软件的静电防护等等。
[5.1.6]无线电发射源
无线电发射机的频率范围为103—1012Hz。
无线电发射机的有效辐射功率（ERB）很高。例如军用雷达10GW，气象雷达1GW，船用雷达100MW，电视广播50MW，商用电台300kW，广播电台100kW，业余通讯1kW，车用通讯100W。
因此无线电发射源对电子设备是一很强的干扰源。
对无线电发射源的电磁兼容的设计方法是
——严格控制无线电发射的方位角，以减小无线电发射源干扰的空间范围。
——采用完整的电磁屏蔽和可靠的接地措施，以减小无线电发射源的泄漏干扰。
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