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小资料——名词解释
IGBT——Insulate Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅门控双极型晶体管
晶体管器件列表(PDF)下载
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智能功率器件——BTS621L1 
深圳市凌雁电子有限公司

    BTS621L1集成了N沟道垂直功率FET及充电泵,输入电流控制及识别和负载电流传感反馈电路,智能SIPMOS技术,内置完善的保护电路。广泛应用于家用电器、汽车控制电路及工业控制设备,主要功能特性如下:
     主要功能特性:

    ·过载保护
    ·过流限制
    ·短路保护
    ·超温保护
    ·超压保护(包含负载泵)
    ·负压输出嵌位
    ·电池极性保护
    ·快速负载检测捕捉
BTS555外形图
    ·BTS621L1还具有低内阻电流翻转工作状态,负载电流检测识别,负载开路电流检测电路,Vbb掉电保护,静电放电保护等完善的功能。

    ·微控制器功率开关自行识别12V和24V(DC)接地负载。

     主要参数指标:

    ·超压保护Vbb(AZ):43V
    ·工作电压Vbb(ON):5.0-34V
    ·负载电流(ISO) ILISO:单管:4.4A,双管并联8.5A
    ·电流限制值:8A
    ·接通状态静态内阻RON:单管:100mΩ,双管:50mΩ

BTS621L1内部框图


     BTS621L1数据手册
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