| 小资料——名词解释 |
| IGBT——Insulate Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅门控双极型晶体管 |
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智能功率器件-BTS555 | 深圳市凌雁电子有限公司 |
BTS555集成了N沟道垂直功率FET及充电泵，输入电流控制及识别和负载电流传感反馈电路，智能SIPMOS技术，内置完善的保护电路。广泛应用于家用电器、汽车控制电路及工业控制设备，主要功能特性如下： |
 主要功能特性:
·过载保护
·过流限制
·短路保护
·超温保护
·超压保护（包含负载泵）
·负压输出嵌位
·快速负载感应捕捉 |
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·BTS555还具有低内阻电流翻转工作状态，电池极性保护，负载电流传感识别，负载开路电流传感电路，Vbb掉电保护，静电放电保护等完善的功能。
主要参数指标:
·超压保护Vbb(AZ):62V
·输出嵌位电压VON(CL):42V
·工作电压Vbb(ON):5.0-34V
·短路电压限制值ILSCp:400A
·电流传感速率IL:IS:30000
·负载电流(ISO) ILISO:158A
·接通状态静态内阻RON:2.9mΩ
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智能功率器件
