IDT公司近日宣布,其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件.从工业控制到医疗成像和通信,新的9Mb和4Mb双端口器件可实现高达200MHz的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求.这两款器件采用1.8V内核电压,比现有解决方案的功耗更低.
双端口器件集成了存储器和控制逻辑,可通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取.该IDT解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题,增加带宽并降低设计复杂性,同时通过使用经过验证的成熟器件,实现快速上市.
新的9Mb IDT70P3519和4Mb 70P3599是高速256k/128kx36位同步双端口器件.两款器件可提供完善的同步功能,有助于IDT的客户优化其设计,获得更高的性能和更低的功耗.此外,这两款器件还有助于客户同时存取单个存储器地址,而无需外部器件.同步功能包括计数器,多个独立的芯片使能和字节使能同步中断.此外,控制寄存器,数据和地址输入可实现最短的设置和保持时间,以便使产品更快上市.通过采用输入数据寄存器,这两款双端口器件为具有单向或双向数据流突发的应用进行优化.一个由CEO和CEI芯片使能引脚控制的自动掉电特性,可允许每个端口的芯片上电路进入一种非常低待机功耗的模式.70P3519和70P3599能够支持一个或两个端口上3.3V,2.5V或1.8V的I/O电压.这两款器件的内核电源为1.8V.
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